Novel InP/GaInAs Photodetector for Integration in HEMT Circuits

Reference : Novel InP/GaInAs Photodetector for Integration in HEMT Circuits


	Document type :	Scientific congresses, symposiums and conference proceedings : Paper published in a book
	Discipline(s) :	Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
	To cite this reference:	http://hdl.handle.net/10993/20747

Title :	Novel InP/GaInAs Photodetector for Integration in HEMT Circuits
Language :	English
Author, co-author :	Horstmann, M. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Marso, Michel [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Schimpf, K. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Rüders, F. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	v.d.Hart, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Hollfelder, M. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Hardtdegen, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Publication date :	1995
Main document title :	Proceedings of the 25th European Solid State Devices Research Conference, Den Haag, The Netherlands
Pages :	443-446
Peer reviewed :	No
Event name :	25th European Solid State Devices Research Conference, Den Haag, The Netherlands
Event date :	1995
Permalink :	http://hdl.handle.net/10993/20747

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