InP-Based Monolithically Integrated Photoreceiver for 4-10Gbit/s Optoelectronic Systems

Reference : InP-Based Monolithically Integrated Photoreceiver for 4-10Gbit/s Optoelectronic Systems


	Document type :	Scientific congresses, symposiums and conference proceedings : Paper published in a book
	Discipline(s) :	Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
	To cite this reference:	http://hdl.handle.net/10993/20711

Title :	InP-Based Monolithically Integrated Photoreceiver for 4-10Gbit/s Optoelectronic Systems
Language :	English
Author, co-author :	Horstmann, M. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Hardtdegen, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Schimpf, K. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Muttersbach, J. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Lehmann, R. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Marso, Michel [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Publication date :	1996
Main document title :	Proceedings of the Gallium Arsenide Application Symposium GAAS 96, Paris, France
Pages :	3B2
Peer reviewed :	No
Event name :	Gallium Arsenide Application Symposium GAAS 96, Paris, France
Event date :	1996
Permalink :	http://hdl.handle.net/10993/20711

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