Reference : 19 GHz vertical Si p-channel MOSFET
Scientific journals : Article
Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
http://hdl.handle.net/10993/20655
19 GHz vertical Si p-channel MOSFET
English
Moers, J. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Klaes, D. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Tönnesmann, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Vescan, L. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Wickenhäuser, S. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Marso, Michel mailto [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
1999
Electronics Letters
Institution of Engineering & Technology
35
1999
239-240
Yes (verified by ORBilu)
0013-5194
[en] Vertical Si p-MOSFETs with channel lengths of 100nm were fabricated using selective low pressure chemical vapour deposition (LPCVD) epitaxial growth and conventional i-line lithography. The layout, called VOXFET, reduces gate to source/drain overlap capacitances, thus improving high speed applications. Transistors with a gate width of 12 um and gate oxide thickness of 10nm show transconductances gM of 200mS/mm and measured cutoff frequencies of fT = 8.7GHz and fMAX = 19.2 GHz.
http://hdl.handle.net/10993/20655
10.1049/el:19990138

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